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参数目录43997
> STB60NF06T4 MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
型号:
STB60NF06T4
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STB60NF06T4 PDF
其它有关文件
STB60NF06 View All Specifications
产品目录绘图
ST Series D2PAK
标准包装
1
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
66nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1810pF @ 25V
功率 - 最大
110W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
标准包装
产品目录页面
1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-7950-6
查看STB60NF06T4代理商
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